Схема с общим коллектором транзистора

схема с общим коллектором транзистора
Коэффициент усиления транзистора зависит от толщины базы, поэтому изменить его нельзя. Поэтому лампочка может быть хоть на 220В, если транзистор предназначен для работы на таких напряжениях. Если оно не соответствует 0,6…0,7 вольт для кремния, или 0,2…0,3 вольта для германия, тогда ищите неисправность именно здесь – либо неисправен транзистор, либо неисправны цепи смещения или развязки этого транзисторного каскада.


Схема с общим эмиттером является наиболее распространенной, так как она дает наибольшее усиление по мощности. Кроме того, ёмкости между корпусом и выводами транзистора пагубно влияют на усилительные свойства прибора. Достаточно мультиметром с высоким внутренним сопротивлением измерить напряжение смещения база-эмиттер транзистора. Она должна быть меньше диффузионной длины электронов в базе. Поскольку площадь контакта эмиттер-база получается значительно меньше площади контакта база-коллектор, то поменять эмиттер и коллектор местами с помощью смены полярности подключения нельзя. Входное сопротивление каскада невелико и обычно лежит в пределах от единиц до сотни ом, что относят к недостатку описываемого включения транзистора.

Эта схема включения в теории есть, но в практике она реализуется очень тяжело. Достаточно небольшого усилия (управляющего воздействия), чтобы поток воды из крана увеличился.Помимо рассмотренных процессов, на p-n переходах транзистора может происходить еще ряд явлений. Действительно, чем больше ток, протекающий через транзистор, тем больше падение напряжения на нагрузке, а следовательно, тем меньшее напряжение будет падать на самом транзисторе. Попадая в обратно смещенный коллекторный переход, дырки дрейфуют (и ускоряются) в имеющемся поле перехода.

Похожие записи: